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APTM50HM65FT3G中文资料

APTM50HM65FT3G图片

APTM50HM65FT3G外观图

  • 大小：300.6KB
  • 厂家：MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述：Full - Bridge MOSFET Power Module
  • 标准包装：1
  • 类别：半导体模块
  • 家庭：FET
  • 系列：-
  • FET 型：4 N 通道（半桥）
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：51A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：78 毫欧 @ 25.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：140nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：7000pF @ 25V
  • 功率 - 最大：390W
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SP3
  • 供应商设备封装：SP3
  • 包装：散装

APTM50HM65FT3G供应商

更新时间:2023-04-01 11:22:23
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