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APTM50HM65FT3G中文资料

APTM50HM65FT3G图片

APTM50HM65FT3G外观图

  • 大小:300.6KB
  • 厂家:MICROSEMI [Microsemi Corporation]
  • 描述:Full - Bridge MOSFET Power Module
  • 标准包装:1
  • 类别:半导体模块
  • 家庭:FET
  • 系列:-
  • FET 型:4 N 通道(半桥)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:51A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:78 毫欧 @ 25.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 2.5mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:140nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:7000pF @ 25V
  • 功率 - 最大:390W
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SP3
  • 供应商设备封装:SP3
  • 包装:散装

APTM50HM65FT3G供应商

更新时间:2023-04-01 11:22:23
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